美国颇尔PALL LCS4PXSH 光刻胶过滤滤芯应用案例 【半导体・14nm 制程光刻胶过滤场景】
美国颇尔 PALL LCS4PXSH 光刻胶过滤滤芯应用案例 【半导体 ・ 14nm 制程光刻胶过滤场景】 某芯片制造厂 14nm 制程光刻胶供给系统采用 PALL 颇尔 LCS4PXSH 滤芯。极紫外( EUV )光刻胶要求极高纯度, ≥0.1μm 颗粒需严格控制。 LCS4PXSH 采用超纯 PTFE 膜, 0.05μm 超高精度,无溶出、无纤维释放。 低 TOC 、低金属离子析出,满足 SEMI 最高标准 PALL 。应用后,光刻胶颗粒< 0.1pcs/mL PALL 。晶圆缺陷率下降 70% ,保障先进制程良率。