美国颇尔PALL LCS4PXSH 光刻胶过滤滤芯应用案例 【半导体・14nm 制程光刻胶过滤场景】

 美国颇尔PALL LCS4PXSH 光刻胶过滤滤芯应用案例

【半导体・14nm 制程光刻胶过滤场景】

某芯片制造厂 14nm 制程光刻胶供给系统采用 PALL 颇尔 LCS4PXSH 滤芯。极紫外（EUV）光刻胶要求极高纯度，≥0.1μm 颗粒需严格控制。LCS4PXSH 采用超纯 PTFE 膜，0.05μm 超高精度，无溶出、无纤维释放。

低 TOC、低金属离子析出，满足 SEMI 最高标准PALL。应用后，光刻胶颗粒＜0.1pcs/mLPALL。晶圆缺陷率下降 70%，保障先进制程良率。